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国内GaN GaN研究开发的突破性进展:12月底试产

    近日,在深圳会议展览中心举办的深圳国际电子展上,Inosseco(珠海)科技有限公司市场部副总裁参加了“2008(冬季)中国USB PD快速灌装行业峰会论坛”,分享了“8英寸GaN快速灌装应用机会”的主题演讲。“联系与挑战”。陈玉林从企业介绍、快速充电市场中的GaN机遇、高频、高效快速充电解决方案的挑战三个方面向工业工程师分享了有关GaN的相关知识。GaN是继第一代Ge、Si半导体材料和第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它在光电子、大功率器件和高频微波器件等方面具有广阔的应用前景。陈玉林透露,国内氮化镓的研究开发已取得突破性进展。三个新的GaN产品,100V,150V和650V将在2018年12月底投入试生产,并在2019年正式批量生产。目前,INOSECO拥有5种产品(40V、60V、100V等),实现小批量生产和收到订单。这些产品采用目前行业领先的8英寸Fab生产线制造。目前,INOSECO采用IDM产业链模式,第一家自行建造的8英寸晶圆厂用于支持GaN产业。公司已成功建立了覆盖研发、设计、生产、测试、销售、市场和技术支持的完整的GaN产业链。产品包括30V至650V功率器件、功率模块和射频器件。它们在5G通信、新能源汽车、智能制造、人工智能、大型数据中心等战略新兴领域具有巨大的优势和发展空间。在现场,INOSECO展示了最新的15W汽车充电器应用案例。与传统方案相比,INOSECO具有体积小、效率高、以生产GaN为开发设计的特点。除了车载充电器的应用外,氮化镓在高功率快速充电器的应用也引起了全世界的关注。高速、高频和高效率使得大功率USB PD充电器不再是笨重的砖头,体积小巧,可以实现高功率输出,比苹果原装的30W充电器更小更轻。内置式GaN充电器的输出功率为27W,苹果USB-C充电器的输出功率为30W,两者之间的功率差很小,但内置式GaN充电器的尺寸完全不同。内置的GaN充电器比苹果充电器小40%。

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国家先进计算产业创新中心全面启动

    北京12月25日电 (记者 张素)记者25日获悉,国家先进计算产业创新中心建设启动会当日在天津召开。分析指出,该创新中心将全面开工建设,这一重点项目已进入实质性推进环节。

    

      国家先进计算产业创新中心由国家发改委批复,由中科曙光牵头,联合多家产业上下游企业、科研院所和知名高校作为核心单位共同组建。该创新中心以“集约化建设、多元化投资、共享化服务、资讯的拼音_最新金融资讯网市场化运作”为特点,致力于先进计算技术研发应用平台、科技成果转移转化平台、知识产权运营平台、同步资讯_任志强是谁网公共服务共享平台、双创空间和投融资平台和人才服务平台六大平台建设。

    

      中科曙光公司总裁历军介绍,创新中心是集技术研发、人才、资金、成果转化、运营、服务英雄大会_电影惊天动地网等为一体的科技伊斯梅_赵思雨网创新公共服务平台,建成后将重点对接专业领域各级创新研发平台,立足突破先进计算领域核心技术,解决中国信息产业面临的“卡脖子”难题,培育具有国际竞争力的产业集群和区域经济,为信息技术产业的创新驱动发展和网络强国的建设奠定坚实基础。

    

      他说,国家先进计算产业创新中心计划逐步在北京、天津等重点核心区域和海外实现多区域布局,共同构建“小核心、多平台、大网络、广覆盖”的协同创新生态。

    

    

     /*300*250 原生 创建于 2016-03-03*/

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      中国科学院副秘书长、北京分院院长何岩指出,国家先进计算产业创新中心是贯彻落实国家创新驱动发展、网络强国、数字中国、智慧社会等一系列重大战略部署,建立的以企业为主体、市场为导向、产学研深度融合的技术创新体系。希望各方在创新中心的建设过程中,着力实现创新链、产业链、政策链、资金链四链融合网络知识产权_现代企业管理制度网

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      历军还表示,未来在创新中心的建设过程中,中科曙光将发挥中国科学院的优良传统,攻坚克难,注重科技创新,加快科研成果转化,构建产业创新创业服务体系,打造院地合作典范,促进中国先进计算领域相关产业在国际市场竞争中从跟跑向并跑、领跑转变。(完)

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